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マイクロ波プラズマ支援原子層堆積技術

概要 研究技術内容

・原子層堆積(ALD)法によるシリコン基板上への高誘電率金属酸化物形成に関し、金属の酸化種としてマイ
クロ波励起酸素ラジカルを使用したALD技術。
・従来、ニ酸化シリコンと金属酸化物のシリケート化に７００℃以上の高温熱処理が必要であったが、本技
術により１００℃程度の低温でシリケートのin situ形成が可能。

写真・図（要点説明）


活用方向

半導体製造業界

学科・研究者

学科名 電子システム工学科
分野 半導体薄膜材料
研究者 福田 幸夫
主研究テーマ ゲルマニウム基板上へのhigh-k絶縁膜の形成
主要キーワード 半導体薄膜、高誘電率絶縁膜、原子層堆積法、プラズマ支援

特記事項

シーズの熟度 基礎研究