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低温高速電気化学的製膜法による金属酸化物薄膜の創生

概要 研究技術内容

新技術の概要
特許取得した新製膜技術では、製膜温度が100℃以下と低く、高品質なセラミックス薄膜を低温材料ならび
に基板形態によらず、作製できるなどの多くの利点を有し、大面積基板上に低コストで製膜できる技術であ
る。この技術は、半導体産業分野ならびにエネルギー分野の発展に貢献できると考えられる。

従来技術・競合技術との比較
従来法(陽極酸化法)による酸化皮膜の形成では、基板材料により作製できる酸化膜が制限されること、製
膜前後での製品寸法に影響を与えることなどの問題がある。そこで本特許技術では、基板材料によらず、
いろいろな高品質酸化皮膜を形成できること(製品寸法に影響を与えない)、製膜速度(約50um/ｈ)と高速で
あることなどの利点を有し、低コストで高品質な酸化皮膜を作製する技術である。

写真・図（要点説明）


活用方向

1.自動車等の鋼板の腐食防食膜への応用
2.セルフクリーニング用フィルムへの応用、太陽電池デバイスへの応用
3.透明導電膜への応用(帯電防止フィルム)、光学および電子デバイスへの応用

学科・研究者

学科名 電子システム工学科
分野 半導体 材料
研究者 石崎　博基
主研究テーマ 低温高速電気化学的製膜法による金属酸化物薄膜の創生
主要キーワード 低温高速電気化学、機能性金属酸化物、太陽電池

特記事項

特許取得・各種認証等取得状況 ・日本特許：JP2007-515556、JP200770683
・ヨーロッパ特許：EP03029544.8
シーズの熟度 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP；AS231Z03075B)による研究助成により高速低温電気化学製膜技術による高結晶性酸化チタン薄膜の作製に関する基礎研究