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新規機能性薄膜の低温製膜法の開発

概要 研究技術内容

現在、高度情報化社会の到来により、我々の生活において情報端末等の電子デバイスが欠かせないもの
となっている。 この電子デバイスには、いろいろな不純物を添加することで新規機能性セラミックス材料を
用いた 新規Ge-MOSFETデバイスの研究開発(Fig.1)ならびに原子レベルで制御可能な低温製膜法の研究
開発を行っている。
現在の研究テーマ)
①MOSFETデバイスの作製および評価
②Ge-MOSFETのゲート酸化物薄膜に関する研究
③ゲート酸化物の低温製膜装置の開発研究(Fig.1)

写真・図（要点説明）


活用方向

・電子デバイス分野、・表面処理分野

学科・研究者

学科名 電子システム工学科
分野 半導体 材料
研究者 石崎　博基
主研究テーマ 低温製膜法による新規機能性薄膜の創生
主要キーワード 原子堆積法、半導体デバイス